- silicon etching
- Электроника: травление кремния
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
silicon etching
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Advanced Silicon Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… … Deutsch Wikipedia
Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… … Wikipedia
Etching (glass) — Etching refers to the technique of creating art on the surface of glass by applying acidic, caustic, or abrasive substances. Traditionally this was done after the glass was blown or cast. In the 1920s a new mould etch process was invented, in… … Wikipedia
Silicon tetraiodide — Chembox new ImageFile = Silicon tetraiodide.png ImageSize = 150px ImageFileL2 = Silicon tetraiodide 3D balls.png ImageFileR2 = Silicon tetraiodide 3D vdW.png IUPACName = OtherNames = silicon tetraiodide Tetraiodosilane Section1 = Chembox… … Wikipedia
silicon-dioxide etching — silicio dioksido ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon dioxide etching vok. Siliziumdioxidätzung, f rus. травление диоксида кремния, n pranc. décapage de dioxyde de silicium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Etching — The process of making circuit lines in silicon using acid. See also Integrated circuit … International financial encyclopaedia
Deep Reactive Ion Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… … Deutsch Wikipedia
Porous silicon — (pSi) is a form of the chemical element silicon which has an introduced nanoporous holes in its microstructure, rendering a large surface to volume ratio in the order of 500m2/cm3. History Porous silicon was first discovered by accident in 1956… … Wikipedia
Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… … Wikipedia
Black Silicon — Schwarzes Silicium (engl. black silicon) ist eine Oberflächenmodifikation des kristallinen Siliciums. Dabei entstehen durch hochenergetischen Beschuss durch Ionen oder ultrakurzer Laserpulse nadelförmige Strukturen auf der Oberfläche, die die… … Deutsch Wikipedia
Reactive-ion etching — (RIE) is an etching technology used in microfabrication. It uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High energy ions from the plasma… … Wikipedia
